Le lancement de la série Samsung Galaxy S25 est imminent, le prochain événement Unpacked ayant été récemment confirmé pour le 22 janvier. Bien que la société n’ait encore rien révélé officiellement sur les nouveaux téléphones phares, il y a eu une tonne de fuites sur les appareils à venir.
Certains de ces rapports affirmaient que Samsung ferait de 12 Go de RAM le point de départ de l’ensemble de la gamme Galaxy S25, ce qui constituerait une amélioration majeure par rapport à la configuration de base de 8 Go de la dernière génération. Une nouvelle fuite suggère qu’il pourrait y avoir une autre amélioration en termes de mémoire.
Cette nouvelle fuite provient d’un média coréen réputé, ETNews, et le rapport indique que toute la série Galaxy S25 sera équipée de RAM LPDDR5X. Cependant, Samsung se procurerait des puces mémoire de 12 nm auprès de Micron. La lithographie ayant été améliorée par rapport au nœud 13 nm, ces puces RAM devraient offrir de meilleures performances et efficacité.
A noter que Samsung fabrique lui-même des puces RAM 12 nm, mais le géant sud-coréen aurait été confronté à des problèmes thermiques (Black Shark Fun Cooler 3 Pro, actuellement 44,99 $ sur Amazon). Samsung aurait résolu le problème, mais afin de ne pas retarder le lancement de la série Galaxy S25, la société a dû se procurer des puces RAM LPDDR5X auprès de Micron.
Il n’est pas rare de s’approvisionner auprès d’entités tierces, mais cela augmente le coût des matériaux. En parlant de cela, toute la série Galaxy S25 devrait voir son prix augmenter. Selon des rapports récents, tous les téléphones à venir pourraient connaître une augmentation de prix de 100 euros en Europe et une augmentation de prix similaire dans d’autres régions.
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