Une nouvelle fuite du Snapdragon 8 Gen 4 révèle une fenêtre de lancement provisoire et les performances de Geekbench

Une nouvelle fuite du Snapdragon 8 Gen 4 révèle une fenêtre de lancement provisoire et les performances de Geekbench
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Plus d’informations sur le Snapdragon 8 Gen 4 ont commencé à affluer via Digital Chat Station sur Weibo. Le leaker indique que la sortie du SoC est prévue pour la mi-octobre, ce qui correspond à l’annonce de Qualcomm. Cela nous dit tacitement que le SoC de la série Xiaomi 15, les premiers smartphones à utiliser du silicium, pourrait arriver plus tôt que d’habitude, du moins en Chine.

Ces informations font suite à une analyse de référence du Snapdragon 8 Gen 4 d’un échantillon de référence du Snapdragon 8 Gen 4 qui a confirmé la configuration principale du processeur, bien que ses performances laissent à désirer. Cependant, l’échantillon susmentionné ne fonctionnait pas à pleine capacité. Ses doubles cœurs de performance peuvent atteindre 4,0 GHz, ce qui lui a permis d’obtenir un score d’environ 2 700 sur Geekbench 6 pour un seul cœur, ce qui est loin d’être suffisant pour battre le silicium d’Apple, mais reste impressionnant.

De même, le Snapdragon 8 Gen 4 peut potentiellement marquer 10 000 points dans le test multicœur du benchmark. Bien que cela soit suffisant pour battre tout ce qu’Apple a à offrir, il pourrait faire face à une concurrence féroce de la part du MediaTek Dimensity 9400, qui, selon les rumeurs, reproduirait la configuration de base de performance de son prédécesseur. Ensuite, il y a le Samsung Exynos 2500, fabriqué selon 3GAP. Samsung Exynos 2500, fabriqué selon 3GAP.

 
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