TOKYO, le 05 septembre 2024–(BUSINESS WIRE)–Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO : 4063) (Siège social : Tokyo ; Président : Yasuhiko Saitoh ; ci-après, « Shin-Etsu Chemical ») a créé un QST de 300 mm (12 pouces)MT substrat, qui est un substrat dédié à la croissance épitaxiale de GaN, et a récemment commencé à fournir des échantillons.
Shin-Etsu Chemical a vendu des QST de 150 mm (6 pouces) et 200 mm (8 pouces)MT substrats et GaN sur QSTMT substrats épitaxiaux de chaque diamètre. Entre-temps, la société a travaillé à l'augmentation du diamètre en réponse à la forte demande des clients et a développé avec succès un QST de 300 mm (12 pouces)MT Les fabricants de dispositifs GaN ne peuvent pas bénéficier de l'augmentation du diamètre des matériaux en raison du manque de substrats de grand diamètre adaptés à la croissance du GaN, malgré le fait qu'ils peuvent utiliser la ligne de production de Si existante pour le GaN. Ce QST de 300 mmMT Le substrat permet une croissance épitaxiale du GaN sans déformation ni fissure, ce qui était impossible sur des substrats en Si, réduisant ainsi considérablement les coûts des dispositifs. Outre l'amélioration des installations pour les QST de 150 mm et 200 mmMT substrats déjà en cours de fabrication, Shin-Etsu Chemical travaillera sur la production en série de QST 300 mmMT substrats.
Depuis la TVQMT les substrats ont le même coefficient de dilatation thermique que celui du GaN, il est possible de contraindre le gauchissement et les fissures de la couche épitaxiale de GaN sur QSTMT Substrat d'épaisseur standard SEMI. Ce matériau de substrat permet une croissance épitaxiale GaN épaisse et de haute qualité avec un grand diamètre. Tirant parti de cette caractéristique, de nombreux clients évaluent QSTMT substrats et GaN sur QSTMT Substrats épitaxiaux pour dispositifs de puissance, dispositifs haute fréquence et LED. Malgré un environnement commercial difficile, les clients sont entrés dans la phase de développement vers des solutions pratiques pour répondre à l'intérêt croissant pour les dispositifs de puissance, y compris les alimentations électriques pour les centres de données.
L'ajout du QST de 300 mmMT L'ajout de substrats à la gamme des 150 mm et 200 mm peut accélérer considérablement la diffusion des dispositifs GaN. Shin-Etsu Chemical s'engage à contribuer à la réalisation d'une société durable où l'énergie peut être utilisée efficacement grâce à la mise en œuvre sociale des dispositifs GaN.
A noter que la société prévoit d'exposer ce QST de 300 mmMT substrat au SEMICON TAIWAN, qui se tiendra à Taipei, Taiwan, du 4 au 6 septembre 2024.
*1 : La TVQMT Le substrat est un matériau composite dédié à la croissance du GaN développé par Qromis (CA, USA, PDG : Cem Basceri) et a été concédé sous licence à Shin-Etsu Chemical en 2019. QSTMT est une marque américaine de Qromis (numéro d'enregistrement 5277631).
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