TAIPEI (Reuters) – SK Hynix, deuxième fabricant mondial de puces mémoire, va démarrer la production en série de puces HBM3E à 12 couches d’ici la fin du mois, a déclaré mercredi un haut dirigeant.
Justin Kim, président et directeur de la division AI Infra de la société, a fait ce commentaire lors du forum industriel Semicon Taiwan à Taipei.
En juillet, la société sud-coréenne a dévoilé son intention de livrer les prochaines versions de puces HBM – la HBM3E à 12 couches – à partir du quatrième trimestre et la HBM4 à partir du second semestre 2025.
La mémoire à haut débit (HBM) est un type de mémoire vive dynamique, ou DRAM, standard produit pour la première fois en 2013 dans lequel les puces sont empilées verticalement pour économiser de l’espace et réduire la consommation d’énergie. Il s’agit de puces mémoire avancées capables de gérer le travail d’intelligence artificielle générative (IA).
Composant clé des unités de traitement graphique (GPU) pour l’IA, il permet de traiter des quantités massives de données produites par des applications complexes.
En mai, le PDG de SK Hynix, Kwak Noh-Jung, a déclaré que ses puces HBM étaient épuisées pour cette année et presque épuisées pour 2025.
Il n’existe que trois principaux fabricants de HBM : SK Hynix, Micron et Samsung Electronics.
SK Hynix a été le principal fournisseur de puces HBM de Nvidia et a fourni des puces HBM3E fin mars à un client qu’il a refusé d’identifier.
(Reportage de Heekyong Yang et Ben Blanchard ; édité par Jacqueline Wong et Christian Schmollinger)
